มีตัวบ่งชี้ทางเทคนิคมากมายของวัสดุแอโนดกราไฟท์ และเป็นการยากที่จะคำนึงถึง ส่วนใหญ่รวมถึงพื้นที่ผิวเฉพาะ การกระจายขนาดอนุภาค ความหนาแน่นของก๊อก ความหนาแน่นของการบดอัด ความหนาแน่นที่แท้จริง ความจุเฉพาะการชาร์จและคายประจุครั้งแรก ประสิทธิภาพแรก ฯลฯ นอกจากนี้ยังมีตัวบ่งชี้ทางเคมีไฟฟ้า เช่น ประสิทธิภาพของวงจร ประสิทธิภาพของอัตรา การบวม และอื่นๆดังนั้นตัวบ่งชี้ประสิทธิภาพของวัสดุแอโนดกราไฟท์คืออะไร?เนื้อหาต่อไปนี้ได้รับการแนะนำโดย HCMilling (Guilin Hongcheng) ผู้ผลิตของวัสดุขั้วบวก โรงบด.

01 พื้นที่ผิวจำเพาะ

หมายถึงพื้นที่ผิวของวัตถุต่อหน่วยมวลยิ่งอนุภาคเล็ก พื้นที่ผิวจำเพาะก็จะยิ่งมากขึ้น

อิเล็กโทรดลบที่มีอนุภาคขนาดเล็กและพื้นที่ผิวจำเพาะสูงมีช่องมากขึ้นและเส้นทางที่สั้นกว่าสำหรับการโยกย้ายลิเธียมไอออน และประสิทธิภาพของอัตราก็ดีกว่าอย่างไรก็ตาม เนื่องจากพื้นที่สัมผัสกับอิเล็กโทรไลต์มีขนาดใหญ่ พื้นที่ในการสร้างฟิล์ม SEI จึงมีขนาดใหญ่เช่นกัน และประสิทธิภาพเริ่มต้นก็จะลดลงเช่นกัน.ในทางกลับกัน อนุภาคขนาดใหญ่กว่าจะมีข้อได้เปรียบในเรื่องความหนาแน่นของการบดอัดที่มากกว่า

พื้นที่ผิวจำเพาะของวัสดุกราไฟท์แอโนดควรน้อยกว่า 5 ตร.ม./กรัม

02 การกระจายขนาดอนุภาค

อิทธิพลของขนาดอนุภาคของวัสดุแอโนดกราไฟท์ต่อประสิทธิภาพทางเคมีไฟฟ้าก็คือ ขนาดอนุภาคของวัสดุแอโนดจะส่งผลโดยตรงต่อความหนาแน่นของก๊อกของวัสดุและพื้นที่ผิวจำเพาะของวัสดุ

ขนาดของความหนาแน่นของก๊อกจะส่งผลโดยตรงต่อความหนาแน่นพลังงานของปริมาตรของวัสดุ และการกระจายขนาดอนุภาคที่เหมาะสมของวัสดุเท่านั้นที่จะสามารถเพิ่มประสิทธิภาพของวัสดุได้สูงสุด

03 แตะความหนาแน่น

ความหนาแน่นของก๊อกคือมวลต่อหน่วยปริมาตรที่วัดโดยการสั่นสะเทือนที่ทำให้ผงปรากฏอยู่ในรูปแบบการบรรจุที่ค่อนข้างแน่นเป็นตัวบ่งชี้สำคัญในการวัดวัสดุที่ใช้งานอยู่ปริมาณของแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนมีจำกัดหากความหนาแน่นของก๊อกน้ำสูง วัสดุออกฤทธิ์ต่อหน่วยปริมาตรจะมีมวลมาก และความจุของปริมาตรจะสูง

04 ความหนาแน่นของการบดอัด

ความหนาแน่นของการบดอัดเป็นส่วนใหญ่สำหรับชิ้นส่วนเสา ซึ่งหมายถึงความหนาแน่นหลังการรีดหลังจากวัสดุที่ใช้งานอิเล็กโทรดลบและสารยึดเกาะถูกสร้างเป็นชิ้นเสา ความหนาแน่นของการบดอัด = ความหนาแน่นของพื้นที่ / (ความหนาของชิ้นส่วนเสาหลังจากกลิ้งลบ ความหนาของฟอยล์ทองแดง)

ความหนาแน่นของการบดอัดมีความสัมพันธ์อย่างใกล้ชิดกับความจุเฉพาะของแผ่น ประสิทธิภาพ ความต้านทานภายใน และประสิทธิภาพของวงจรแบตเตอรี่

ปัจจัยที่มีอิทธิพลต่อความหนาแน่นของการบดอัด ได้แก่ ขนาดอนุภาค การกระจายตัว และสัณฐานวิทยา ล้วนมีผลกระทบทั้งสิ้น

05 ความหนาแน่นที่แท้จริง

น้ำหนักของของแข็งต่อหน่วยปริมาตรของวัสดุที่มีสถานะหนาแน่นอย่างยิ่ง (ไม่รวมช่องว่างภายใน)

เนื่องจากความหนาแน่นที่แท้จริงถูกวัดในสภาวะอัดแน่น จึงจะสูงกว่าความหนาแน่นของการต๊าปโดยทั่วไป ความหนาแน่นจริง > ความหนาแน่นอัด > ความหนาแน่นกรีด

06 ความจุเฉพาะการชาร์จและการคายประจุครั้งแรก

วัสดุกราไฟท์แอโนดมีความสามารถในการกลับคืนสภาพเดิมไม่ได้ในวงจรการปล่อยประจุเริ่มต้นในระหว่างกระบวนการชาร์จแบตเตอรี่ลิเธียมไอออนครั้งแรก พื้นผิวของวัสดุแอโนดจะถูกสลับกับลิเธียมไอออนและโมเลกุลของตัวทำละลายในอิเล็กโทรไลต์จะถูกแทรกเข้าไปร่วม และพื้นผิวของวัสดุแอโนดจะสลายตัวเพื่อสร้าง SEIฟิล์มทู่หลังจากที่พื้นผิวอิเล็กโทรดลบถูกฟิล์ม SEI ปกคลุมจนหมด โมเลกุลของตัวทำละลายก็ไม่สามารถแทรกแซงได้ และปฏิกิริยาก็หยุดลงการสร้างฟิล์ม SEI จะใช้ส่วนหนึ่งของลิเธียมไอออน และส่วนนี้ของลิเธียมไอออนไม่สามารถแยกออกจากพื้นผิวของอิเล็กโทรดลบได้ในระหว่างกระบวนการคายประจุ ซึ่งทำให้เกิดการสูญเสียความจุที่ไม่สามารถย้อนกลับได้ ซึ่งจะช่วยลดความสามารถเฉพาะของการคายประจุครั้งแรก

07 ประสิทธิภาพคูลอมบ์แรก

ตัวบ่งชี้ที่สำคัญในการประเมินประสิทธิภาพของวัสดุแอโนดคือประสิทธิภาพการคายประจุประจุแรกหรือที่เรียกว่าประสิทธิภาพคูลอมบ์แรกนับเป็นครั้งแรกที่ประสิทธิภาพคูลอมบิกเป็นตัวกำหนดประสิทธิภาพของวัสดุอิเล็กโทรดโดยตรง

เนื่องจากฟิล์ม SEI ส่วนใหญ่ก่อตัวขึ้นบนพื้นผิวของวัสดุอิเล็กโทรด พื้นที่ผิวจำเพาะของวัสดุอิเล็กโทรดจึงส่งผลโดยตรงต่อพื้นที่การก่อตัวของฟิล์ม SEIยิ่งพื้นที่ผิวจำเพาะมีขนาดใหญ่ พื้นที่สัมผัสกับอิเล็กโทรไลต์ก็จะยิ่งมากขึ้น และพื้นที่สำหรับสร้างฟิล์ม SEI ก็จะมากขึ้นตามไปด้วย

เป็นที่เชื่อกันโดยทั่วไปว่าการก่อตัวของฟิล์ม SEI ที่เสถียรนั้นมีประโยชน์ต่อการชาร์จและการคายประจุของแบตเตอรี่ และฟิล์ม SEI ที่ไม่เสถียรนั้นไม่เอื้ออำนวยต่อปฏิกิริยา ซึ่งจะกินอิเล็กโทรไลต์อย่างต่อเนื่อง ทำให้ความหนาของฟิล์ม SEI ข้นขึ้น และ เพิ่มความต้านทานภายใน

08 ประสิทธิภาพของวงจร

ประสิทธิภาพของวงจรของแบตเตอรี่หมายถึงจำนวนการชาร์จและการคายประจุที่แบตเตอรี่ประสบภายใต้ระบบการชาร์จและการคายประจุที่แน่นอน เมื่อความจุของแบตเตอรี่ลดลงถึงค่าที่ระบุในแง่ของประสิทธิภาพของวงจร ฟิล์ม SEI จะขัดขวางการแพร่กระจายของลิเธียมไอออนในระดับหนึ่งเมื่อจำนวนรอบเพิ่มขึ้น ฟิล์ม SEI จะยังคงหลุด ลอกออก และสะสมบนพื้นผิวของอิเล็กโทรดลบ ส่งผลให้ความต้านทานภายในของอิเล็กโทรดลบเพิ่มขึ้นทีละน้อย ซึ่งทำให้เกิดการสะสมความร้อนและการสูญเสียความจุ .

09 การขยายตัว

มีความสัมพันธ์เชิงบวกระหว่างการขยายตัวและอายุการใช้งานของวงจรหลังจากที่อิเล็กโทรดลบขยายตัว ขั้นแรก แกนขดลวดจะถูกเปลี่ยนรูป อนุภาคอิเล็กโทรดลบจะก่อตัวเป็นรอยแตกขนาดเล็ก ฟิล์ม SEI จะถูกทำลายและจัดระเบียบใหม่ อิเล็กโทรไลต์จะถูกใช้ และประสิทธิภาพของวงจรจะลดลงประการที่สอง ไดอะแฟรมจะถูกบีบความดันโดยเฉพาะอย่างยิ่งการอัดขึ้นรูปของไดอะแฟรมที่ขอบมุมขวาของหูขั้วโลกนั้นร้ายแรงมากและเป็นเรื่องง่ายที่จะทำให้เกิดการลัดวงจรขนาดเล็กหรือการตกตะกอนลิเธียมไมโครโลหะพร้อมกับความคืบหน้าของวงจรการปล่อยประจุ

เท่าที่เกี่ยวข้องกับการขยายตัว ลิเธียมไอออนจะถูกฝังอยู่ในระยะห่างระหว่างชั้นของกราไฟท์ในระหว่างกระบวนการแทรกระหว่างกราไฟท์ ส่งผลให้มีการขยายตัวของระยะห่างระหว่างชั้นและปริมาตรเพิ่มขึ้นส่วนที่ขยายนี้ไม่สามารถย้อนกลับได้ปริมาณของการขยายตัวสัมพันธ์กับระดับการวางแนวของอิเล็กโทรดลบ โดยระดับการวางแนว = I004/I110 ซึ่งสามารถคำนวณได้จากข้อมูล XRDวัสดุกราไฟท์แอนไอโซทรอปิกมีแนวโน้มที่จะเกิดการขยายตัวของโครงตาข่ายในทิศทางเดียวกัน (ทิศทางแกน C ของผลึกกราไฟท์) ในระหว่างกระบวนการแทรกคาเลชั่นลิเธียม ซึ่งจะส่งผลให้ปริมาตรของแบตเตอรี่ขยายตัวมากขึ้น

10อัตราประสิทธิภาพ

การแพร่กระจายของลิเธียมไอออนในวัสดุแอโนดกราไฟท์มีทิศทางที่แข็งแกร่ง กล่าวคือ สามารถแทรกในแนวตั้งฉากกับส่วนปลายของแกน C ของคริสตัลกราไฟท์เท่านั้นวัสดุแอโนดที่มีอนุภาคขนาดเล็กและพื้นที่ผิวจำเพาะสูงมีประสิทธิภาพด้านอัตราที่ดีกว่านอกจากนี้ ความต้านทานพื้นผิวของอิเล็กโทรด (เนื่องจากฟิล์ม SEI) และค่าการนำไฟฟ้าของอิเล็กโทรดยังส่งผลต่อประสิทธิภาพของอัตราอีกด้วย

เช่นเดียวกับวงจรชีวิตและการขยายตัว อิเล็กโทรดเชิงลบแบบไอโซโทรปิกมีช่องขนส่งลิเธียมไอออนจำนวนมาก ซึ่งแก้ปัญหาทางเข้าน้อยลงและอัตราการแพร่ต่ำในโครงสร้างแอนไอโซทรอปิกวัสดุส่วนใหญ่ใช้เทคโนโลยี เช่น การทำแกรนูเลชั่นและการเคลือบเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพอัตรา

HCMilling (Guilin Hongcheng) เป็นผู้ผลิตโรงบดวัสดุแอโนดซีรี่ส์ HLMXวัสดุขั้วบวก สุด ๆ- โรงสีแนวตั้งที่ดี, ฮชวัสดุขั้วบวก โรงสีละเอียดพิเศษและโรงบดกราไฟท์อื่น ๆ ที่ผลิตโดยเรามีการใช้กันอย่างแพร่หลายในการผลิตวัสดุแอโนดกราไฟท์หากคุณมีความต้องการที่เกี่ยวข้อง โปรดติดต่อเราเพื่อขอรายละเอียดอุปกรณ์และให้ข้อมูลต่อไปนี้แก่เรา:

ชื่อวัตถุดิบ

ความละเอียดของผลิตภัณฑ์ (ตาข่าย / μm)

ความจุ (ตัน/ชม.)